CoolSiC MOSFET G2 1200V系列产品是英飞凌最新推出的SiC MOSFET产品,均采用了扩散焊工艺(.XT) 来降低结壳热阻。TO247封装器件的导通电阻从7mΩ到78mΩ。产品系列如下: 上表给出了G1与G2建议的替代关系。比如G1 IMZA120R040M1H同G2 IMZC120R034M2H和IMZA120R034M2H处在同...
之前两篇文章我们分别介绍了CoolSiC MOSFET G2的产品特点及导通特性(参考阅读:CoolSiC MOSFET Gen2性能综述,CoolSiC MOSFET G2导通特性解析),今天我们分析一下在软开关和硬开关两种场景下,如何进行CoolSiC MOSFET G2的选型。 G2在硬开关拓扑中的应用 除了RDS(on),开关损耗在SiC MOS...